東芝メモリ株式会社（本社：東京都港区）は2019年8月5日、96層積層プロセスを採用するストレージクラスメモリ（SCM）の新製品「XL-FLASH」を発表した。
以下ソースで
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/2019/0806/315695
ストレージクラスメモリ「XL-FLASH™」の開発について
東芝メモリ株式会社は、新しいストレージクラスメモリ（SCM）であるXL-FLASH™を開発し、サンプル出荷を開始します。本製品は、96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリBiCS FLASH™を1ビット/セルのSLC技術を用いて、高速読み出し、書き込みを可能にした製品です。9月より一部OEM顧客向けに128 ギガビット (Gb) チップを用いた製品［注1］のサンプル出荷を開始します。量産は2020年に開始する予定です。
XL-FLASH™は並列処理に優れた16物理プレーン構造［注2］を採用し、高速化を可能にする回路技術により、既存のTLC（3ビット/セル）のBiCS FLASH™と比較して約10倍高速となる5μs以下の読み出しレイテンシを実現し、DRAMとNAND型フラッシュメモリの性能差を埋める新しいメモリ階層として立ち上がりつつあるSCMに位置づけられる製品になります。また、本製品は従来のDRAMよりもビットあたりのコストを低減でき、NAND型フラッシュメモリのように大容量に対応した不揮発性メモリです。
当社は、データセンターおよびエンタープライズストレージ向けの高速SSDへの搭載をはじめ、XL-FLASH™によって、今後、拡大するSCM市場のニーズに対応してまいります。
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TOSHIBAは超超高純度フッ化水素12Nを使い放題なんですよ
ふふふふまあ多分、韓国企業を半導体市場から閉め出す為の日米台合作の出来レースだしな。
日本、アメリカ、台湾はもう準備できてるんだろう。結局、全部「出来レース」って事なんだよなｗｗｗ
DRAMでもFLASHでも、韓国の製造が止まっても大丈夫な様に日米で仕組んでて、G20で各国に根回ししてから韓国に最後通牒。
当然韓国にも材料の在庫もあれば製品の在庫もある。
生産がいきなり止まる事も無ければ、販売がいきなり終わる事も無い。
ただし、「あと数か月で全てが終わる」って姿を自分で見つめながら経営しなきゃいけない韓国の経営陣は大変だろうなぁ（笑）>>1
多分大分前から出来てたんだろうな。市場を譲ってただけで。
あまり儲けすぎると米中から怒られるし東芝にはSKが粘着してるからあぶない
サムスンは日本製フッ化水素無しにDDR5の量産って出来るのかな
より悲しみを誘うのが「G20諸国に南朝鮮側へ日本から得た情報をリークしてくれる友好国が皆無だった」という現実なんだけどな。
>>6
無理w
DDR3Lから低電圧になったでそ？
要するに、ミクロンプロセスが上がったから、
配線の太さが細くなった＝3.3Vでは電圧が高すぎて、
配線が焼き切れるレベルになってしまったから電圧を下げたの。
要するに、DDR4でもそれなりのプロセスサイズってこと。
DDR5はDDR4以上に高集積化、高クロック化するということなので、
高純度フッ化水素は必須。>>5
繋がってても国が監視していて漏洩のさせようがない。
12Nが無いので作れない。96層ってすげぇな・・・・。
1層毎に、絶縁層設けて、ビルみたいに積み上げるってことだから、
96階建て・・・・恐ろしす。
そりゃ、高純度フッ化水素ありきじゃないと、
歩止まりが恐ろしいことになるｗ
サムスンはもう作れないね。サムスンやSKはEUV技術を捨てさえすれば存続出来る
最先端からは程遠い2流企業、組み立て工場として生き残ればいい>>12
一応・・・・
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/2019/0806/315831
サムスンも100層以上のSSD作り始めたよーってプレスリリースが出たけど…
日付が昨日ｗ
株価対策かなぁ？ｗ
量産できるほどフッ化水素ないだろうし・・・・。
発表はしたけど、製品は出荷されないなんて事がありうるｗ雑魚！
既に日本より韓国が技術上
https://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20190807-00000023-cnippou-kr
韓国128層！！韓国128層
日本96層
( ﾟ∀ﾟ)ｱﾊﾊ八八ﾉヽﾉヽﾉヽﾉ ＼ / ＼/ ＼>>14
3D NANDフラッシュの技術開発を先導し始めた東芝-WD連合
2019年3月18日 11:00
～
具体的に見ていこう。東芝-WD連合はワード線の積層数を前年と同じ96層のままで、多値記憶技術を4bit/セル(QLC)方式に変更することでシリコンダイ当たりの記憶容量を1.33Tbitと過去最大容量に拡大した3D NANDチップを共同開発した(講演番号13.1)。さらに同連合は、ワード線の積層数を128層と過去最大層数に増やすとともに周辺回路をメモリセルアレイと積層することでシリコン面積を節約した3D NANDチップを発表した(講演番号13.5)。このチップは、TLC方式としては過去最高の記憶密度を達成した。いずれも昨年に比べると、かなりの技術的な進歩がうかがえるチップだ。
対するSamsungは、ワード線の積層数を110層～120層に増やした3D NANDチップを発表した(講演番号13.4)。ただし記憶容量と記憶密度は、いずれも過去のISSCCにおける発表を超えていない。東芝-WD連合に比べると、明らかに見劣りする発表内容だった。
～
SamsungのNANDフラッシュメモリ開発に対する姿勢の変化は、昨年の8月に開催されたフラッシュメモリ業界のイベント「Flash Memory Summmit(FMS)」で最初に顕れた。前年の2017年まで、SamsungはFMSでキーノート講演を実施するとともに、FMSの展示会では最大級のブースを構えることが通例となっていた。ところが昨年のFMSではSamsungによるキーノート講演がなく、展示会にはブースが出展されなかった。このことは、業界関係者をかなり驚かせた。
ISSCC 2019におけるSamsungの発表は、昨年のFMSにおける消極的な姿勢と通じるものがある。アグレッシブさを強める東芝-WD連合の発表に比べ、Samsungの発表は腰が引けているように見える。そのことが何を意味するのか。しばらくは注意して見守っていきたい。
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1175105.htmlもう既に量産体制の準備が整ってるな
「発表」てのはこういのじゃなきゃ意味ないよな（´・ω・｀）>>15
具体的に見ていこう。東芝-WD連合はワード線の積層数を前年と同じ96層のままで、多値記憶技術を4bit/セル(QLC)方式に変更することでシリコンダイ当たりの記憶容量を1.33Tbitと過去最大容量に拡大した3D NANDチップを共同開発した(講演番号13.1)。さらに同連合は、ワード線の積層数を128層と過去最大層数に増やすとともに周辺回路をメモリセルアレイと積層することでシリコン面積を節約した3D NANDチップを発表した(講演番号13.5)。このチップは、TLC方式としては過去最高の記憶密度を達成した。いずれも昨年に比べると、かなりの技術的な進歩がうかがえるチップだ。
対するSamsungは、ワード線の積層数を110層～120層に増やした3D NANDチップを発表した(講演番号13.4)。ただし記憶容量と記憶密度は、いずれも過去のISSCCにおける発表を超えていない。東芝-WD連合に比べると、明らかに見劣りする発表内容だった。>>17
「第6世代」の3D NAND試作チップをSamsungは披露
最後に紹介するのは、Samsungが「第6世代(名称は「V6」)」の3D NANDフラッシュ技術で開発したと称するチップである(講演番号13.4)。記憶容量は512Gbit、多値記憶技術はTLC方式、シリコンダイ面積は101.58平方mm、記憶密度は5.04Gbit/平方mmとなっている。
ワード線の積層数は、2つの数字が出てきた。発表論文には「120層以上」と記述してある。しかし講演直後の質疑応答では、「110層」と発表者は回答していた。発表全体としては開発途上のチップであり、製品版のチップではないとの印象を受けた。例えばワード線の積層数が100層超と多いにもかかわらず、前年に東芝-WD連合がISSCC 2018で発表した同じ記憶容量(512Gbit)で96層の3D NANDチップよりも、シリコンダイ面積が大きいのだ。シリコンダイ写真を見ると周辺回路のシリコン面積が、3D NANDチップとしては異様に大きいことが分かる。開発に必要な評価用回路を組み込んでいるため、周辺回路が大きくなっていることが伺える。韓国NANDの世界シェア33%、美味しくいただきました。
>>14くやしいのうｗｗｗ
在日は涙を拭いて祖国へ帰りましょうね仮に開発できても高純度フッ化水素ないと量産できんやろ
層を重ねても性能が従来と変わらんのなら粗悪品リスクが増えただけやんけNAND フラッシュメモリー自体はTOSHIBAの技術者舛岡不二雄さんの発明
1992年TOSHIBAは市場拡大を目的としてサムスンに技術供与東芝が半導体部門切り離して売却しようとした時にSKが手を挙げたけど韓国には売らないって断固拒絶してた理由がここに繋がる訳か。
あの頃には話が出来上がってたんだろう。
あれ、何年前の話だっけ？>>13
開発サイクルが早くなったとか書いてあるが
元サイトにも供給日時が書かれていない、ひどいニュースリリースまずスレの製品はNANDじゃないよね？
単純に積層の枚数を比較しても意味ないじゃん。
NANDより10倍速いSCM96層
新しいNAND128層
って話だろ。>>27
議論しないで、こんなところに逃げだしたのか？>>27
また泥棒すんの？(笑)
↓
2014年3月14日に不正競争防止法違反容疑で逮捕された容疑者は東芝とパートナー企業であるサンディスクの元技術者であり、2007年～2008年にかけて半導体メモリの微細化に関する研究データを不正に持ち出し、韓国の半導体メーカーSKハイニックスに提供したとされる[1][2]。
東芝はSKハイニックスと容疑者に対し1090億円余りの賠償などを求める訴訟を起こしたが、このうちSKハイニックスについては2億7800万ドル（330億円相当）の和解金を支払うとの条件で和解に合意し、これを機に記録用半導体の製造技術を両社が共同で開発するなど協力関係を拡大するとの合意も行われた[3]。>>24
ああ思い出した。そうだよね。出資の条件整理のとき揉めてたよね。>>27
泥棒する技術は世界一ニダねｗ積層数自体はラボでの試作成功しても、
量産ベースに乗せて採算が取れるか？っていうのは別の話。
税金投入して電力コストが安い韓国国内で製造する予定だったのだろうが、
肝心の素材が韓国国内では素材が手に入らず、
大規模なファブへの投資はゴミになったね。>>1
今の一般向けの製品は、TLC又はQLCの安くて大容量。しかし耐久性はありません。
今回の発表はSLCなので大容量にはコストが高いが、耐久性は高いエンタープライズ向けの製品だと思います。
もしこの製品が一般向けの価格帯までコストが下げられればかなりのシェアを取れるでしょう！>>1
日 도시바, 2분기 1조6000억원 적자... LNG·반도체에 발목
http://biz.chosun.com/site/data/html_dir/2019/08/07/2019080701701.html
도시바 화이팅日本の半導体メーカーが素材メーカーを囲い混んで独占供給させるってのは違法なの？
日本の素材メーカーが韓国に売って小さな利益を得た結果、日本の半導体メーカーが潰れたんでしょ？これで韓国完全に終わったな(^^)
>>38
샤프가 공장을 짓던 이야기가 생각나네요ㅋ
이번에는 도시바를 사면 에코 포인트 주나요?ㅋ
東芝、従来NANDより10倍高速なSLCベースのストレージクラスメモリ「XL-FLASH」発表
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