次世代半導体向け材料の技術革新追求…JSR、米装置大手と協業

ＪＳＲは１６日、米国半導体製造装置大手のラムリサーチと次世代半導体製造に向けた非独占的なクロスライセンス契約と協業に合意したと発表した。極端紫外線（ＥＵＶ）露光向けフォトレジストや金属酸化物レジスト（ＭＯＲ）、成膜材料などを共同開発する。

両社はＪＳＲが持つ最先端のリソグラフィー材料技術と、ラムリサーチのエッチング・ドライレジスト成膜技術を結集し、次世代材料などの技術革新を追求する。

今回の協業と併せて、ＪＳＲ米国子会社のインプリアとラムリサーチが米国デラウェア州地方裁判所における係争と特許異議申し立て手続きを取り下げることでも合意した。