SKハイニックスが10ナノ級6世代(1c)微細工程を適用したDラムを2月に世界で初めて量産する。
SKハイニックスは最近、1c DDR5に対する量産認証（MS Qual、Mass product qualification）を終えた。 「マスクォール」とも呼ばれる量産認証は、連続したいくつかのラット（生産基本単位、1ラットがウェハー25枚）の結果がすべて品質と収率を満足し、本格的な量産ができる状態で行われる。
SKハイニックスのチャ·ソンヨン未来技術院長(CTO、副社長)は15日、タウンホールミーティングで「14日、マスクアルが出た」と話した。 開発部署から製造部署に1CDDR5管理を移管するプロセスを終えれば、正式量産は2月初めから始まるものと見込まれる。
SKハイニックスが業界最先端工程である10ナノ級第6世代Dラム開発と量産のいずれもライバル会社であるサムスン電子とマイクロンよりリードし、Dラム1位企業の地位を強固にすることになった。 三星電子とマイクロン共に10ナノ級第6世代Dラムの開発も進んでいない
開発から量産まで少なくとも6ヶ月程度がかかるということを勘案すれば、ライバル会社が今すぐ10ナノ級6世代Dラムを開発しても、ハイニックスより6ヶ月以上遅れている。 半導体業界は、かつて後発走者だったSKハイニックスが10ナノ級4世代(1a)の時からサムスン電子と同等開発、10ナノ級5世代(1b)からはサムスン電子を抜いたと見ている。
半導体業界は10ナノ級に入ってDラム技術の難易度が高くなると、線幅を具体的な数字の代わりにアルファベット記号や世代と呼称している。 10ナノ級Dラム工程技術は、1x（第1世代）-1y（第2世代）-1z（第3世代）-1a（第4世代）-1b（第5世代）-1c（第6世代）の順で開発中だ。 世代が高くなるほど線幅が狭くなるが、線幅が狭いほどウェハー1枚から出てくるDラム生産量が増える。 1cに近いほど工程難易度が幾何級数的に高くなる。
高性能データセンターに主に活用される1c DDR5の動作速度は8Gbpsで、前の世代に比べて11%速くなった。 電力効率は9%以上改善された。
SKハイニックスは今後、第7世代高帯域幅メモリー(HBM)であるHBM4Eに1c技術を適用する計画だ。
---
とんだニュースだ 世界最先端技術を保有する韓国>>1>>2>>3
韓国SKハイニックス、キヤノン製の半導体露光装置を導入…「3D NANDを高度化」
2023/05/05 10:58
https://www.chosunonline.com/m/svc/article.html?contid=2023050580017
SKハイニックスは今年、日本のキヤノンからナノインプリント露光装置を導入し、テストを進めている。2025年ごろに同装置を使い、3D（3次元）NAND型フラッシュメモリーの量産を開始することを目標に研究開発を進めており、これまでのテスト結果が順調であるため、量産用設備も追加発注される見通しだ。
半導体業界によると、SKハイニックスは今年、キヤノンからナノインプリント露光装置のテスト装備を購入し、3D NAND型フラッシュメモリーの生産工程に適用するためのテストを進めている。業界で最先端製造プロセスに使用されている極端紫外線（EUV）露光装置の次世代設備とされ、これまでは研究開発レベルでの採用にとどまっていた。
次世代の露光技術として脚光を浴びてきたナノインプリント露光装置は、ナノパターンが刻まれたスタンプを使い、まるで印鑑を押すようにシリコンウエハー上にナノパターンを転写するのが特徴だ。
液体である紫外線感光液をシリコン基板上にコーティングした後、透明なスタンプを接触させ圧力を加えるとスタンプとの間にパターンが形成される。その後、光を投射してパターンを固体化する。安価な紫外線を光源として使用し、レンズを使わないため、従来のフッ化アルゴン（ArF）液浸露光装置や最高2000億ウォン（200億円）もするEUV露光設備を使用するよりも経済的とされている。>>1
東京エレクトロン
韓国に1000億ウォン投資2021/11/20（土）13:27:41
https://kaikai.ch/board/126739/
2021/11/20(Sat) 13:27:41ID:k4ODUwNDA(1/23)NG報告
日本半導体装備会社東京エレクトロン（ＴＥＬ）が国内研究開発（Ｒ＆Ｄ）インフラ増設のために大規模投資を断行する。 サムスン電子とＳＫハイニックスなど国内両大半導体企業の先端半導体プロセス研究開発を側面支援するための大規模投資と解釈される。 TELは国内保有中のR&Dインフラを大幅に改善するために1,000億ウォンを投資することに決めた。今回の投資は、TELが既存国内に確保していた景気動弾・発案研究基地を増築、装備を開発してテストできるクリーンルーム規模を拡大するために活用される予定だ。増設完了時点は2023年と予想される。 TELは、アップグレードしたR&Dインフラでサムスン電子とSKハイニックスの次世代メモリー、ファウンドリ（チップ委託生産）ラインに活用できる装備を国内顧客のニーズに合わせて共同開発する。 すでにTEL韓国法人は2006年創立以来1,300億ウォンを投資して国内総7か所で7万5,000m(約2万5,000坪)規模拠点を確保したことがある。 今回の投資は約15年間、国内にやってきた設備投資金額と合わせる金額を一度に注ぐという点が目立つ。既存施設を全く新しい半導体R&D基地に変革し、国内の顧客会社と公告した協力関係を固めるという意志で解決される。 業界は高度な半導体技術を保有するTELの急なR&Dローカライゼーション作業が国内半導体エコシステムに相当な波及力を及ぼすと評価する。TELの投資で高級半導体人材養成、チップ製造企業側面支援などが一層弾力を受ける見通しだ。韓国人は良いスレ立てるなぁ
>>6
申請数だけ誇っても、金にならない特許なんてなぁ。
誰が欲しがるの？>>3
お前の予言は一度も当たったことがないが？>>6
SAMSUNGの特許は死蔵、つまり他の企業が使わない特許ばかり
アメリカで海外企業特許不正使用No.1がSAMSUNG
アメリカで海外企業特許不正使用No.1がSAMSUNG
アメリカで海外企業特許不正使用No.1がSAMSUNG
アメリカで海外企業特許不正使用No.1がSAMSUNG
大爆笑www>>3
たった8兆ウォンで
韓国経済を建て直しは不可能www
中国の過剰生産で滅びる運命なのにwww
無知無能無知無能無知無能無知無能無知無能無知無能無知無能無知無能無知無能無知無能>>7
大爆笑www
他のSKグループは壊滅状態www
借入金100兆ウォンが払えませんwww
法人税も無理ですwww>>8
異業種で営業利益を比較www
これが君の知能レベルだよ
トヨタの5倍nida～～
トヨタの3倍nida～～
達成しましたか？>>8
そんな低品質しか造れない企業が来てもwww
SAMSUNGはゴミがメインでしょ？
SKはやっと黒字になったばかりwww
累積赤字は？
大爆笑www韓国経済スーパー超好調！！
大爆笑www日本自動車崩壊
電気自動車時代www
大爆笑wwwアジア最高先進国www
大爆笑www金持ち韓国www
大爆笑wwwアメリカなら600兆！！
大爆笑www面白いなぁ
おじさん会話できるようになったの？
11○○は書き込んだことを記憶できないのかな？狂ってんな…
火病連レスこえぇ>>1
韓国2企業が日本に来れば1等企業www
売れないSAMSUNG
SKなんて、誰も知らないwww
ラオスダムくらいだろ？
大爆笑www面白いやつがいたなぁ
嫌われもの同士wwwあたまおかしい
白紙の婚姻届www
後生大事にとってありましたwww
わら半紙の婚姻届って
いつの時代なの？共に会話ができないのも共通点だな
コピペとwww>>30
頑張れ
初老さん効いてて草
>>30
白紙の婚姻届見せてよ>>1
量産？倒産の間違いだろ？ｗ半導体産業の将来がそれほど明るいものではないと市場が評価しているからSOX指数が今の価格なんだが、朝鮮人はそんな事さえ知らないようだ。
扇動に簡単に乗せられる家畜民族を誘導するのは簡単だな。
SK하이닉스 6세대 D램 전세계 최초 양산
35
ツイートLINEお気に入り
28
6
レス投稿
画像をタップで並べ替え / 『×』で選択解除