で、ｗ
- 4
名無し2024/06/03(Mon) 13:25:23(1/1)
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>>1
NVIDIAすごいってスレか>>4
サムスンもSKハイニックスも韓国企業じゃん
1負け1勝한국 승리
https://japan.ajunews.com/view/20240514161410361
SKハイニックス、HBM4Eに初言及…「2026年量産目標」
まあこれも開発やってるんだからSKは相当HBMに前のめりだな、SamsungはHBM3Eすらテストに合格しないと…なにやってんだか、マイクロンは発表と同時に量産に入ってテストも合格してるのに
ところで
>サムスン電子もこの日の行事で、次世代メモリー具現に活用できる次世代チャンネル素材「IGZO」について説明した。
サムスン電子・DS(デバイスソリューション)事業部のハ·デウォンマスターは基調講演を通じ、“高いメモリー容量と帯域幅を具現するため、10nm以下のDラム量産にはIGZOチャンネル素材技術が重要になるだろう”と明らかにした。
IGZOは日本が開発したものだがNO JAPANじゃなかったのか？LGもOLED作るのに使ってるのにｗ
何がNO JAPANだｗ日本の特許がなきゃ製品も作れないくせにｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗ素材、装置は日本、パッケージングはTSMC
韓国の勝ち？価値？
そんなもの無いよね（笑）韓国人は日本人に勝てたと見做すと「甲の横暴」を振るってくるからな。（前例は韓国で多数ある）
例え本当に勝っていたとしても、それは認めずにさっさと韓国を殴った方が良い。
「痛めつければ韓国は良い物をくれる。良い思いができる。」
韓国に対するこれ以外の交流方法は、無い。>>12
これ実際の話！。
以前開発したシステムで高速（っても仕様内）連続運転試験をやったんだけど、サムスン（マイクロンで設計だが上からの圧力変更）のD-RAMがデーター化けを起こすんだ、ランダムでは良いんだがバーストでやると徐々に酷くなる（これを掴むのに幾日徹夜を舌やら【苦笑）、直感的に熱問題だと想い高温（といっても仕様内）試験をしてみたらランダムでも時々発生する。どうやらスペックの80％位の速度からゲートが振動している様なのでメーカーに高温スクリーニングを依頼したんだが何度やっても改善しない、業を煮やしてねじ込んだ。そしたらスクリーニングをホットチャック（ウエファーを乗せる高温の台）に乗せマルチプローバーで選別してやがった。（マルチプローブは拡散工程の最後で良否判定する検査器具で実際の信号より遙かに遅い）本来は樹脂封入後の完成品を高速パターン発生器に繋いで検査するんだが、なんと検査担当の技術屋がその事を知らなかった。通訳にも問題が有ったがゲートが振動する事すら知らない。
それでMIT出だそうだ。「仕様内のパラメータ位保証しろ」って怒鳴ったら「この製品は仕様を満たしています」と抜かしおった、仕様内で使ってデータ化けするメモリを。仕方がないからクライアントに泣きつき納期を延ばし大急ぎでマイクロンのメモリを手配、その後は一発でOK、つまりサムスンというか朝鮮系メーカーは要は「ケンチャナヨ」エバレーション（開発時製品評価）だから仕様が当てにならない。
その後部品表に「記載部品以外を使用した場合性能の保証はしかねます」と一筆しれた上使用不可メーカーリストの筆頭に朝鮮系メーカ名を入れる様にした。サムスンの8段·12段HBM3Eテストが失敗
HBMのテストに合格しないからSamsungはもう終わりなの？
そんなことはないね、厳しくはなるけど他に儲ける手段はあるしSKよりも規模は大きいから、ハイメモリならGDDR7はSamsungのほうが強い、SKも負けてないがSamsungのほうが量も用意できるし量産のスピードも速い
ただ、予想よりLPDDR5の需要は増えないしDDR5の普及は進んでいない。従来タイプの増設するタイプのDRAMはこれから衰退するかもって動きが強くなっている。実際プロセッサの近くにDRAMを置くタイプのものが出てきているわけで、DDR6を開発しても需要が怪しいっていうのは眉唾ではないのだ>>16
中国に輸出するなよ、韓国
アメリカは半導体に関する規制をさらに強める可能性が高い
今まで韓国は制裁や制限がかなり緩くされてきた。今後は韓国への特別扱いはなくなるぞ
韓国は自分たちは制裁なんてされるわけがないって見てるフシがあるがそんなわけない。中国国内の工場に対する制裁は結局ほとんど緩められなかった。これでも当初の想定よりは弱いがそれでも韓国の要望は却下されている
엔비디아 RUBIN 울트라 HBM4 12개 장착
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