サムスン電子、「２０２７年に１.４ナノ半導体プロセス導入へ」

　サムスン電子が今年、世界で初めて3ナノプロセスの開発および量産を開始したのに続き、2027年には1.4ナノプロセスを導入すると明らかにした。スマートフォンに続き、人工知能（AI）や自動運転などの大衆化で先端半導体の需要が増え、ますます拡大するファウンドリ（半導体委託生産）市場で台湾のTSMCなどとの激しい競争が予想される。

　サムスン電子は3日（現地時間）、米カリフォルニア州のシリコンバレーで「サムスン ファウンドリフォーラム2022」を開き、ファウンドリ事業のロードマップと新技術を公開した。3年ぶりにオフラインで開かれたこの日の行事で、サムスン電子ファウンドリ事業部のチェ・シヨン事業部長（社長）は「ゲートオールアラウンド（GAA・Gate All Around）基盤のプロセス技術革新を持続し、2025年には2ナノ、2027年には1.4ナノプロセスを導入する計画」と明らかにした。

　サムスン電子が2ナノプロセスの計画を明らかにしたことはあるが、1.4ナノテクノロジーの適用計画を明らかにしたのは今回が初めて。これに先立ってサムスン電子は6月、世界で初めてGAAプロセスの量産を始めた経緯がある。サムスン電子はこれまでのFinFET方式のプロセスから脱し、新しい方式を開発し量産に適用し、これをさらに発展させる計画だ。

http://japan.hani.co.kr/arti/economy/44728.html