日本とアメリカの半導体関連企業10社が、生成AIや自動運転に必要な次世代半導体の開発施設をアメリカのシリコンバレーに立ち上げます。
この施設は、半導体材料の世界的なメーカーである日本のレゾナックが、日米の複数の企業に協業を呼び掛けたことで実現することになりました。
半導体関連の開発は、これまで複数の企業が協業するケースは少なく異例の取り組みです。
レゾナックによりますと、数年前からアップルやエヌビディアなどIT大手からアメリカ国内での技術開発を要請されていたということです。
施設の稼働は来年を目標にしていて、今年から半導体製造に必要なクリーンルームや装置の導入などの準備を開始する予定です。
https://l.smartnews.com/LLLP9次こそKoreanに技術を盗まれないようにしないとダメ
ウ、ウリは?とか言ってる場合じゃないニダ!
チョッパーリがウリを閉め出ししてきてるニダ!日米に捨てられそうで韓国はビビってますw
韓国はやはり中国と共に有るべきなんだなw>>5
なんだ、韓国はまた負けたのか。
メモリ半導体しか作れない韓国企業は呼ばれていないから、
負けても気にする事は無い。>>5
次世代半導体パッケージで日米10社が企業連合 生成AI照準に米巨大ITと連携へ
生成人工知能(AI)向けに需要拡大が見込まれる次世代半導体の開発で日米の関連企業が連携を強化する。化学大手のレゾナック・ホールディングスは8日、半導体を最終製品に仕上げる「後工程」を手掛ける日米の材料・装置メーカー10社によるコンソーシアム(企業連合)を米シリコンバレーに設立すると発表した。生成AI開発に注力する米巨大ITなどと協力して後工程の技術革新を加速する狙い。
半導体の性能向上はこれまで回路線幅の微細化が牽引してきたが、微細化の技術的なハードルが高くなるのに伴い、複数の半導体チップを組み合わせる3次元実装など後工程の「パッケージ技術」の高度化の重要性が急速に増しているという。
このため、AI半導体開発の米エヌビディアや、グーグル、アップル、マイクロソフトなど「GAFAM」と呼ばれる米巨大ITが新たに半導体後工程の設計を手掛ける動きが広がっており、今回のコンソーシアムはこれに対応する。
コンソーシアムにはレゾナック、東京応化工業、TOWAなど日本企業6社と、レーザー直接描画装置メーカーのKLAなど米国企業4社が参加。GAFAMや米半導体大手などと契約し、次世代半導体製造に必要な後工程の材料・装置の開発や技術検証を実施する。既にクリーンルームなど検証施設の整備に着手しており、来年夏をめどに稼働を始める予定だ。
先端半導体の製造は台湾積体電路製造(TSMC)や米インテル、韓国のサムスン電子など海外勢が主導しているが、材料・装置分野は日本企業が高い競争力を持っており、レゾナックは後工程の幅広い材料を手掛ける世界トップクラスの大手。最近は後工程分野の技術強化のため、TSMCやインテルが相次いで日本で研究開発に乗り出しているが、レゾナックなどの国内の材料・装置大手はこれに対応すると同時に、生成AI開発で先行する米国にも連携の枠組みを広げることで、AI用などの次世代半導体市場でも高いシェアを獲得したい考えだ。
https://l.smartnews.com/rVk2vこれって次世代パワー半導体のこと?
それならTSMCやサムスンが入ってないのも納得できる。
今のところパワー半導体は、米国、ドイツ、日本といった先端技術を有する一部の先進国でしか造れない。>>8
日本が研究開発で先行してるダイヤモンド半導体だね。
佐賀大が世界初ダイヤモンド半導体パワー回路を開発 2023年4月17日
YouTubehttps://youtu.be/PQoqFs-h6bA?si=IReL7eAnCnCiC7Tm
佐賀大学は、半導体の材料にダイヤモンドを使い世界で初めて「パワー回路」と呼ばれる電子回路を開発したと発表しました。
中央の約8ミリ四方のものがダイヤモンド半導体です。佐賀大学理工学部の嘉数誠教授らが世界で初めて開発しました。
ダイヤモンド半導体を使った回路は、従来よりもロスなく電力を使えることから送電や膨大な電力を要するコンピュータでの超高速な演算への活用に威力を発揮すると期待されています。
また、熱や放射線への耐性に優れ、人工衛星など宇宙産業分野での需要も見込まれます。
ダイヤモンド半導体を使ったパワー回路は次世代の先端産業として、アメリカやドイツでも研究が進められて来ました。
そんななか、佐賀大学の嘉数教授は基板と金のワイヤーで回路に繋ぐことで開発に成功したということです。
メーカーなどと連携し3年後の実用化を目指すとしています。- 10
名無し2024/07/08(Mon) 20:02:02(1/1)
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韓国は技術が無いから相手にされないんだよね
>>12
中国も韓国を嫌ってるwww
文元大統領の一人飯は有名- 14
名無し2024/07/08(Mon) 23:44:53(1/1)
このレスは削除されています
美日、「ZAM」で韓国メモリー覇権に挑戦する
「既存のメモリ設計は、AI(AI)のニーズを満たしていません。私たちは、今後10年間にわたってAI技術の発展を加速するためのまったく新しい方法を提案しようとしています。」
今月初め、ジョシュア・プライマン・インテル公共部門最高技術責任者(CTO)は、日本のソフトバンク傘下の半導体企業であるサイメモリーと共に、次世代AI用メモリ「ZAM(Z-Angle Memory)」の開発に乗り出すという発表とともに、こう述べた。サムスン電子とSKハイニックスが事実上良分な高帯域幅メモリ(HBM)市場に新たな設計方式で挑戦状を出すということだ。
9日、台湾デジタイムズは市場分析機関のセミビジョンを引用して「今のメモリ供給難は周期的な現象ではなく、一部の会社が独占した単一技術に対する依存性が触発した構造的問題」とし「ZAMプロジェクトはサプライチェーンリスク管理のために推進される側面が大きい」とした。半導体業界では米国が韓国主導のメモリ産業を攻略するためのパートナーとして日本と握ったという点に注目する。米国と日本は韓国がメモリ覇権を握る前の1980年代に活躍した「第1世代メモリ強者」たちだけに、技術開発に成功した場合、これらの組み合わせがグローバル半導体市場を振ることができるということだ。
◇ZAM、どう違うのか
HBMは、高い塔のように積み重ねたDRAMダイ(ダイ・メモリチップ一枚)を垂直に貫通するシリコン貫通電極(TSV)で接続した構造だ。まるで高層ビルに設置された複数台のエレベーターが階間移動を支援するのと同じだが、一つのHBMの中にはTSVが設置された「穴」だけが1万個以上だ。このような垂直設計は最短距離にデータを移し、速度面では優位性があるが、中央部の列が外に抜けにくいという欠点もある。>>15
Intelがサイメモリと開発に着手したZAMは、垂直設計の代わりに「斜線設計」をとったのが特徴だ。 DRAMダイを層層が積み重ねるのは同じだが、垂直なTSVの代わりに斜めの銅配線が互いに接続する構造だ。これらの配線は中央にある垂直チャネルを中心に斜め方向に広がっており、まるで高い建物の真ん中に柱を立てて各階にはしごを伸ばしたような姿をしている。 Intelは「中央部の熱気をより速く発散させることができ、理論的にはHBMよりもDRAMを多く積み上げることができる」と説明する。また「ZAMはHBM比ダイ当たり搭載したDRAM面積が30%以上増え、同じ大きさで容量が2~3倍高くなる」とした。ただし、半導体業界では「メモリはデータ移動距離が数ナノメートル(nm・1nmは10億分の1m)だけ長くなっても性能が大きく異なるが、ZAMのような斜線設計がそのような欠点をどのように克服するかは未知数」という指摘が出ている。
◇韓国覇権に挑戦する日米同盟
インテルとサイメモリーは来年ZAM試作品を作って、早ければ2029年から量産に出るという計画だ。すぐに市場に衝撃を与えないが、業界が触覚を立てるのはZAMが事実上米国・日本両国のメモリー名運をかけた国家プロジェクトで、地政学的覇権争いの一つとして読まれるからだ。 ZAMの基盤となるIntelのNGDB(次世代DRAM接合)技術は、米国エネルギー省・国家核安全保障局が運営する先進半導体技術(AMT)プログラム支援を受けて開発された。特に米国政府が昨年、インテル持分の9.9%を買収して最大株主になっただけに、韓国への依存度を下げるために政府レベルでZAMプロジェクトをさらに積極的に推進するという分析が出ている。>>16
Intelと手を組んだ日本もZAMを自国のメモリ再起の重要なプロジェクトと見ている。サイメモリーの親会社であるソフトバンクは「今回のコラボレーションは日本で先進半導体技術を創出し、国際競争力を強化するためのもの」とした。ソフトバンクは去る2024年次世代メモリ開発のために日本国立研究機関である理化学研究所(リケン)と藤津の後援を受けてサイメモリーを設立した。ソフトバンクがオープンAIと取り組んで超大型データセンター構築プロジェクトである「スターゲート」を推進するだけに、米国と日本の国家代表がZAM開発に成功すれば一気に大規模商用化につながるという分析も出ている。
ただし専門家らは、ZAMプロジェクトの成功の有無を占めるには時期尚早という意見だ。これまでインテルと日本系半導体企業が過去の栄光を取り戻すために何度も新しい試みをしてきたが、明確な成果を出せなかった。インテルはファウンドリ復活を狙ったが、赤字の沼に陥って一時危機論が出てきて、日本も国家主導でDRAMメーカーエルピーダを設立したが、市場確保に失敗して座礁した。キム・ジョンホカイスト(KAIST)電気及び電子工学部教授は「斜線でつなぐ新しい工程を成功させるのはかなり難しい課題」とし「ZAM自体は失敗することもあるが、今後HBMを置き換えようとする動きは引き続き活発になるだろう」とした。
https://v.daum.net/v/20260210180036634
日米10社が次世代半導体で協業 来年シリコンバレーに開発拠点
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