삼성전자가 업계 최초로 36GB(기가바이트) 'HBM3E' 12H(12단 적층) D램 개발에 성공했다. 상반기 양산 예정인 이 제품을 통해 고용량 HBM(고대역폭메모리) 시장 선점의 '터닝포인트'로 삼겠다는 계획이다.
삼성전자(005930)는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다고 27일 밝혔다. HBM3E는 5세대 고대역폭메모리다. 'HBM3E 12H'는 1024개의 입출력 통로(I/O)에서 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공한다. 성능과 용량 모두 전작인 HBM3 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선됐다.
삼성전자는 'Advanced TC NCF(열압착 비전도성 접착 필름)' 기술로 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족시켰다. 이 기술을 적용하면 HBM 적층 수가 증가한다. 특히 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 '휘어짐 현상'을 최소화할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다.
https://n.news.naver.com/mnews/article/421/0007376873?sid=101>>2
三星、HBM接合素材の二元化を推進···LG化学と次世代NCF開発
28日、業界によると、三星電子とLG化学はHBM発熱を最小限に抑え、従来より薄いNCFを開発している。 NCFはDラムを何段も積むHBMに使われる素材だ。 Dラムに超微細穴を開けるシリコン貫通電極(TSV)工程後、上下に接合する時に使用する。 三星電子は、熱圧着（TC）方式でNCFを付けている。 マイクロンもNCF方式であり、SKハイニックスは他の素材（MUF）を使用している。
三星電子は日本の素材メーカー、レジョナック（旧昭和電工）が作ったNCFを導入している。 サムスン半導体素材·部品·装備供給網の中では異例的に単独で供給体系(ソルベンダー)だ。 サムスン電子がLG化学とNCFを開発するのは、核心素材に対する依存度を下げるためのものと分析される。 HBMの製造に欠かせない素材であるだけに、供給網を安定化するためだ。
サムスンが単純供給網の拡大にとどまらず、次世代製品をLG化学と共同開発する点も注目される。 HBMでNCFは発熱と半導体の高さを左右する核心要素だ。 発熱を改善し、より薄くしてHBMの高さを下げようとするサムスンの開発意志と供給網を国内に置く計画が複雑に作用したものと解釈される。>>3
今から開発するのか。
韓国が今まで開発に成功した素材は何かある？客観的に分析すると
まだHBMはハイニックス>>サムスン>>>マイクロンだ。
今後2年間はハイニックスの世
収率、発熱、データ共に比較不可
ハイニックスは韓米半導体のTCボンダー装備を使う。 100%独占
MUF工程で生産性、歩留まり、最大化した韓米半導体の時価総額は9兆ウォンを突破
韓国の半導体装備企業史上初めての出来事
現在、HBMはボンダーウォー（戦争）レベル
韓米半導体装備を確保したかどうかが、今後のHBM競争力を分ける。.三星がそれでも良い点は圧倒的な生産キャパ
結局、大量生産の経験をしてみないと問題点を克服できない.
..
- 11
名無し2024/02/29(Thu) 10:45:21(1/1)
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朝鮮人は日本の素材は要らないとか。ww
マイクロンに負けるのにね。ww>>14
それ、在シンガポール朝鮮人だろ？
朝鮮人は日本から排除されても平気だから、頑張れ。ww>>14
火病るの早くね？- 17
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HBMのスレッド何十個目だ？
いちいち立て直さないで再利用しなさい。>>1
引用元のソース貼れよ
削除依頼しておく
しかしなぁ～、サムソンがぁ～ハイニクスがぁ～言うでみてもだ
韓国内は、若者の就職先は無く
株式市場は崩壊
OECD加盟国中、家計債務額は世界一位
金利が高く、給与の殆どは借金返済にまわり
元本は殆ど減らない
物価は爆上りの生活苦
不動産バブルは弾け
出生率は1を切り
暗い未来しかないな🤣🤣🤣
ヘルコリアまた火病の前座スレか。
- 21
このレスは削除されています
>>1
膨大な赤字企業ｗｗｗ- 23
このレスは削除されています
>>1
MicronがNVIDIAの生成AI半導体向け24GB HBM3Eの量産を開始、競合比で消費電力を3割削減
Micron Technologyは2月26日(米国時間)、競合のDRAMメーカーの製品と比べて消費電力を3割削減したとする24GBの「HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)」の量産を開始したことを発表した。
この24GB 8H HBM3Eは2024年第2四半期(4〜6月期)に出荷が開始され、NVIDIAのTensor Core GPU「H200」に搭載されるという。Micronでは、自社のHBM3Eがもたらす業界をリードする性能とエネルギー効率により、AIソリューションのさらなる強化に貢献していくとしている。
Micronによると、同製品に採用されているのは同社の1β DRAMプロセス(10nm級の第5世代DRAMプロセス)で、それにシリコン貫通ビア(TSV)技術や高度パッケージング技術などを組み合わせることで実現したという。ちなみに同社はTSMCの3DFabric Allianceのパートナーでもある。
なお、同社は2024年3月に、1.2TB/sを超すメモリ帯域幅を実現しつつ、高い電力効率を提供する36GB 12H HBM3Eのサンプル出荷を開始することも予定しており、これによりHBM分野での競争力を高めるとしている。
同社のエグゼクティブ・バイス・プレジデント兼最高ビジネス責任者のスミット・サダナ氏は今回の製品展開とNVIDIAへの採用を受けて、「Micronは、今回のHBM3Eで、市場投入までの時間のリーダーシップ、高いパフォーマンス、差別化された電力効率プロファイルという3つの要素を実現した。AIワークロードはメモリの帯域幅と容量に依存する部分が多くあるため、最先端技術となるHBM3EおよびHBM4の技術開発と、AIアプリケーションに向けた幅広いDRAMおよびNANDポートフォリオを通じて、今後のAIの成長をサポートし続けられる立場に立った」と述べている。
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20240228-2894143/>>9
以前もそう言っていたが、日本からの輸入手続きが少し複雑化しただけで大混乱して政府まで火病の発作を起こしたのが韓国だろwメモリー輸出も、ＡＩ時代の非メモリーも不振…赤信号灯った「半導体強国」韓国
5年間でメモリー半導体の輸出額は半分に減った。特にここ2年間は、毎年輸出額の減少率が2桁に達した。世界のメモリー市場で、サムスン電子とSKハイニックスを中心とした韓国の半導体大手のシェアは、約10年間にわたり60%前後に達するほど独占的地位を保っているにもかかわらず、輸出額において急激な変化が現れたのだ。専門家たちは、業況によって大きく左右されるメモリー中心の韓国の半導体産業構造に内在した弱点が露呈した2年だと評価する。
相対的に安定した成長をみせる非メモリー半導体市場では、韓国の影響力は微々たるものだ。産業研究院の資料によると、国別の非メモリー半導体のシェア（売上ベース）は韓国が3.3%で、台湾（10.3%）、日本（9.2%）、中国（6.5%）を下回っている。半導体設計分野の強い米国が54.5%を占めている。世界の半導体市場で、メモリー半導体の比重は23.88%（市場規模187兆ウォン）である一方、非メモリー半導体は76.12%（593兆ウォン）。韓国が強い存在感を放っているのは小規模な市場だけという話だ。
サムスン電子の半導体事業部（DS）内外では「四面楚歌」という反応まで出ている。
サムスンが2019年にHBM開発チームを解体したのは、サムスンが未来の動向をうまく予測できなかった事例に挙げられる。匿名の半導体業界関係者は「HBM2製品まで市場優位を占めていたサムスンが、2019年に収益性が保障されないとの理由でHBM開発チームを解体した。当時は下降局面に対応しようとした選択だったが、未来を読めなかった短期的な戦略がAI半導体市場の初期に苦戦する結果を生んだ」と話した。
非メモリー分野では、数年にわたって挑戦をしているものの、ライバルを遠くから追いかけている格好だ。非メモリー半導体を作る領域であるファウンドリ（半導体委託生産）市場でトップ業者である台湾のTSMCが、アップルやNVIDIA、AMDなど大型顧客企業を確保し、1位の地位を固めている。一方、サムスン電子が大手顧客企業から受注したというニュースは聞こえてこない。
https://japan.hani.co.kr/arti/economy/49523.html
"하이닉스 보고 있나"…삼성전자, 업계 최초 '12단 HBM3E' 개발
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