'3나노 웨이퍼' 깜짝 공개 삼성전자… "TSMC 게 섯거라~!"

[앵커멘트]
삼성전자가 3나노 공정으로 만든 웨이퍼를 깜짝 공개했습니다. 3나노 공정 기반의 웨이퍼가 일반에 공개된 것은 이번이 처음인데요. TSMC와의 초미세공정 기술경쟁을 벌이고 있는 삼성전자의 초격차 기술력에 대한 자신감으로 해석됩니다.조은아 기자가 보도합니다.

[기사내용]
최신 나노분야 연구 성과와 다양한 첨단 응용제품을 선보이는 '나노코리아' 전시회.

삼성전자가 이 곳에서 차세대 반도체의 키를 쥐고 있는 3나노 공정 기반 GAA 웨이퍼를 깜짝 공개했습니다.

지난해 세계 최초로 3나노 공정 기술 개발에 성공한 이후 3나노 공정 기반의 제품을 일반에 공개한 것은 이번이 처음입니다.

GAA는 Gate-All-Around의 약자로 누설전류와 같은 반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 기술입니다.

현재 첨단 반도체 공정에 사용되고 있는 '핀펫' 구조에서 한 단계 더 진화된 차세대 트랜지스터 구조입니다.

최근 한창 설비 구축이 진행되고 있는 5나노 공정과 비교하면 3나노 공정에선 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있고, 소비전력을 50% 감소시킵니다.

처리속도 성능도 약 30% 향상시킬 수 있습니다.

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