美日、「ZAM」で韓国メモリー覇権に挑戦する

「既存のメモリ設計は、AI（AI）のニーズを満たしていません。私たちは、今後10年間にわたってAI技術の発展を加速するためのまったく新しい方法を提案しようとしています。」

今月初め、ジョシュア・プライマン・インテル公共部門最高技術責任者（ＣＴＯ）は、日本のソフトバンク傘下の半導体企業であるサイメモリーと共に、次世代ＡＩ用メモリ「ＺＡＭ（Ｚ－Ａｎｇｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ）」の開発に乗り出すという発表とともに、こう述べた。サムスン電子とＳＫハイニックスが事実上良分な高帯域幅メモリ（ＨＢＭ）市場に新たな設計方式で挑戦状を出すということだ。

9日、台湾デジタイムズは市場分析機関のセミビジョンを引用して「今のメモリ供給難は周期的な現象ではなく、一部の会社が独占した単一技術に対する依存性が触発した構造的問題」とし「ZAMプロジェクトはサプライチェーンリスク管理のために推進される側面が大きい」とした。半導体業界では米国が韓国主導のメモリ産業を攻略するためのパートナーとして日本と握ったという点に注目する。米国と日本は韓国がメモリ覇権を握る前の1980年代に活躍した「第1世代メモリ強者」たちだけに、技術開発に成功した場合、これらの組み合わせがグローバル半導体市場を振ることができるということだ。

◇韓国覇権に挑戦する日米同盟
インテルとサイメモリーは来年ＺＡＭ試作品を作って、早ければ２０２９年から量産に出るという計画だ。すぐに市場に衝撃を与えないが、業界が触覚を立てるのはZAMが事実上米国・日本両国のメモリー名運をかけた国家プロジェクトで、地政学的覇権争いの一つとして読まれるからだ。 ZAMの基盤となるIntelのNGDB（次世代DRAM接合）技術は、米国エネルギー省・国家核安全保障局が運営する先進半導体技術（AMT）プログラム支援を受けて開発された。特に米国政府が昨年、インテル持分の９．９％を買収して最大株主になっただけに、韓国への依存度を下げるために政府レベルでＺＡＭプロジェクトをさらに積極的に推進するという分析が出ている。


https://v.daum.net/v/20260210180036634