キオクシアホールディングス（ＨＤ）は２０２５年度中に第９世代ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを量産する。既にサンプル出荷を始めた。現在量産中の第８世代ＮＡＮＤから適用したウエハーボンディング技術である「ＣＢＡ」を活用する。メモリー積層数を抑えながら読み出し性能などを高めた。電力効率などが求められる製品で展開する。
量産するＮＡＮＤはメモリー容量５１２ギガビット（ギガは１０億）のＴＬＣ（トリプル・レベル・セル）。第６世代と比較して書き込み性能は６１％、読み出し性能は１２％、それぞれ向上した。電力効率も高めた。
ＣＢＡを使い、第５世代の１２０層積層のメモリーセルと最新世代の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ロジックを組み合わせた。積層数の投資を抑えながら、ＮＡＮＤの性能を向上させた。
https://l.smartnews.com/m-5Xwmt56w/eFs0tNもしかしてサムスンピンチ？
>>2
やめてよｗ
鼻息荒くした韓国人が怒涛のファイル投稿はじめちゃうｗ
メモリー容量512ギガビット…キオクシア、第9世代NANDを年度内量産
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