キオクシアホールディングス（ＨＤ）は２０２５年度中に第９世代ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを量産する。既にサンプル出荷を始めた。現在量産中の第８世代ＮＡＮＤから適用したウエハーボンディング技術である「ＣＢＡ」を活用する。メモリー積層数を抑えながら読み出し性能などを高めた。電力効率などが求められる製品で展開する。
量産するＮＡＮＤはメモリー容量５１２ギガビット（ギガは１０億）のＴＬＣ（トリプル・レベル・セル）。第６世代と比較して書き込み性能は６１％、読み出し性能は１２％、それぞれ向上した。電力効率も高めた。
ＣＢＡを使い、第５世代の１２０層積層のメモリーセルと最新世代の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ロジックを組み合わせた。積層数の投資を抑えながら、ＮＡＮＤの性能を向上させた。
https://l.smartnews.com/m-5Xwmt56w/eFs0tNもしかしてサムスンピンチ？
>>2
やめてよｗ
鼻息荒くした韓国人が怒涛のファイル投稿はじめちゃうｗ韓国また敗北ですか？
耐久性能20倍以上…「GaN系」でビーム源、半導体の歩留まり向上へ
名古屋大学の天野・本田研究室とフォトエレクトロンソウル（名古屋市千種区、鈴木孝征社長）は、窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体材料を用いた光電子ビーム源（ＧａＮフォトカソード）の共同研究成果を活用し、微細化や３次元（３Ｄ）構造化に対応する半導体検査・計測技術の有効性を確認した。半導体デバイス製造の歩留まり向上が図れるとする。キオクシア岩手（岩手県北上市、柴山耕一郎社長）が９月にも製造現場で導入評価を始める。
半導体フォトカソードは半導体材料に光を照射して電子ビームを取り出す技術。今回、ＧａＮ系半導体材料を採用することで産業利用上の課題だった脆弱（ぜいじゃく）性を高め、従来技術の２０倍以上の高耐久性能を実現した。
さらに任意の場所、任意の強度で電子ビーム照射が可能。検査時間短縮、縦方向に集積化した深い穴構造の観察にも利用できる。検査、測定技術の革新につながる成果として、天野浩名大教授は「半導体開発も進むと期待したい」と話した。
キオクシア岩手は実際の製造工程で導入し、欠陥検出や原因特定などの歩留まり向上について効果を検証する。「検査スピードで従来よりも１０―２０％の改善を見込みたい」（柴山社長）としている。>>6
おーい、妄想狂の朝鮮人が出現したぞ～。www>>6
勿論ジョークだよな？
マジで思ってないよな？
ｗｗｗ>>9
衰退してるのは朝鮮人の頭と生え際だと気づくのはいつの日か...？>>9
もしかして
海外の半導体製造装置や検査装置や半導体素材を
依存してる韓国が発展してると思ってるバカ？😂>>6>>9>>11
SKハイニックスのHBM半導体開発者「日本との協業、成功に寄与」 2025年7月31日 18:40
https://www.nikkei.com/article/DGXZQOGM2925Q0Z20C25A7000000/
韓国SKハイニックスで広帯域メモリー「HBM」の組み立て工程の開発トップ李康旭（イ・ガンウク）副社長が日本経済新聞の取材に対し、日本の半導体製造装置や素材メーカーの技術が大きなカギになったと話した。>>15
名古屋大学から輩出されたノーベル賞受賞者は、天野さんの他に野依良治氏（化学賞、2001年）、小林誠氏（物理学賞、2008年）、益川敏英氏（物理学賞、2008年）、下村脩氏（化学賞、2008年）、赤﨑勇氏（物理学賞、2014年）と計6名ですね
メモリー容量512ギガビット…キオクシア、第9世代NANDを年度内量産
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