日本のキオクシア「NANDフラッシュ332層技術開発」

日本のメモリー半導体企業キオクシアが332層のNAND型フラッシュの開発に成功したと日本経済新聞（日経）が20日付で報じた。

これまで公開されたNAND技術層の積層数が最も高い。

現在、キオクシアは昨年7月から第8世代技術である218層NANDを作っているが第10世代技術まで手に入れたのだ。本格的な量産時期は公開されなかった。

日経によるとキオクシアの332層NANDは以前の製品よりデータ伝送速度が33％、単位面積当たりの保存容量は59％増加、データを読む時の電力効率が10％改善された。本格的な量産に入る場合、AIデータセンターに適用される見通しだ。

今回の発表を受け業界では300層以上の超高層技術開発競争が激化するものと見られる。

NANDはチップの中の保存空間をマンションのように垂直に積み上げるが、より高い層数を積むほど高容量のチップを作ることができる。このため最近企業間の積層競争が激しい。

グローバルNAND市場はサムスン電子が36.9％で1位で、SKハイニックス（22.1％）、キオクシア（13.8％）、マイクロン（11.8％）が後に続いている。

真っ先にNAND300層を超えたのはSKハイニックスだ。SKハイニックスは昨年末から321層製品を量産しているが現在量産されているNANDの中で最も高い層数だ。今年上半期中に顧客会社に供給する予定だ。

その次にサムスン電子286層NANDがある。中国のYMTCは270層で、まだサムスンやSKハイニックスより低いが早いスピードで技術格差を縮めている。

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