SK하이닉스 6세대 D램 전세계 최초 양산

SKハイニックスが10ナノ級6世代(1c)微細工程を適用したDラムを2月に世界で初めて量産する。
SKハイニックスは最近、1c DDR5に対する量産認証（MS Qual、Mass product qualification）を終えた。 「マスクォール」とも呼ばれる量産認証は、連続したいくつかのラット（生産基本単位、1ラットがウェハー25枚）の結果がすべて品質と収率を満足し、本格的な量産ができる状態で行われる。
SKハイニックスのチャ·ソンヨン未来技術院長(CTO、副社長)は15日、タウンホールミーティングで「14日、マスクアルが出た」と話した。 開発部署から製造部署に1CDDR5管理を移管するプロセスを終えれば、正式量産は2月初めから始まるものと見込まれる。
SKハイニックスが業界最先端工程である10ナノ級第6世代Dラム開発と量産のいずれもライバル会社であるサムスン電子とマイクロンよりリードし、Dラム1位企業の地位を強固にすることになった。 三星電子とマイクロン共に10ナノ級第6世代Dラムの開発も進んでいない
開発から量産まで少なくとも6ヶ月程度がかかるということを勘案すれば、ライバル会社が今すぐ10ナノ級6世代Dラムを開発しても、ハイニックスより6ヶ月以上遅れている。 半導体業界は、かつて後発走者だったSKハイニックスが10ナノ級4世代(1a)の時からサムスン電子と同等開発、10ナノ級5世代(1b)からはサムスン電子を抜いたと見ている。

半導体業界は10ナノ級に入ってDラム技術の難易度が高くなると、線幅を具体的な数字の代わりにアルファベット記号や世代と呼称している。 10ナノ級Dラム工程技術は、1x（第1世代）-1y（第2世代）-1z（第3世代）-1a（第4世代）-1b（第5世代）-1c（第6世代）の順で開発中だ。 世代が高くなるほど線幅が狭くなるが、線幅が狭いほどウェハー1枚から出てくるDラム生産量が増える。 1cに近いほど工程難易度が幾何級数的に高くなる。
高性能データセンターに主に活用される1c DDR5の動作速度は8Gbpsで、前の世代に比べて11%速くなった。 電力効率は9%以上改善された。
SKハイニックスは今後、第7世代高帯域幅メモリー(HBM)であるHBM4Eに1c技術を適用する計画だ。
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とんだニュースだ 世界最先端技術を保有する韓国