삼성전자, SiC 전력반도체 투자 8인치 직행

三星（サムスン）電子が次世代電力半導体市場への進出に拍車をかける。 今年初め、SiC(シリコンカーバイド)·GaN(ガリウムナイトライド)素子開発と関連した電力半導体TFを構成したのに続き、最近R&Dおよび試作品生産などに必要な設備投資を積極的に進めていることが分かった。

特に注目すべき部分は投資が行われる工程分野だ。 SiCの場合、6インチ工程が最近本格化している状況だ。 それでもサムスン電子はこれよりさらに進歩した「8インチ」工程装備導入に乗り出している。 業界はサムスン電子が実際にSiC市場に進入可能な時期を考慮し、6インチではなく8インチに直行する戦略を採択すると見ている。

サムスン電子は8インチSiC·GaN工程開発のための設備投資を推進中だ。 現在までに完了した投資だけで1000億~2000億ウォンだという。 単純開発を越えて試作品量産まで可能な水準と業界は見ている。

サムスン電子が8インチからSiC工程開発に乗り出す理由も注目に値する。 すでに8インチウェハーが普及したGaNとは異なり、SiCはまだ4インチと6インチウェハーが主流を占めている。 8インチウェハーは商用化に至らなかった。 ウルフスピード、ツーシックス、SKシルトロンなど主要企業が8インチSiCウェハーを本格量産すると目標にした時点も早くても2024~2025年だ。

そのため業界はサムスン電子が実際にSiC市場に進出する時期を考慮し、6インチではなく8インチから工程開発に飛び込むものと見ている。

サムスン電子内部でも次世代電力半導体事業に対する熱意が相当なものと伝えられている。 業界関係者は「電力半導体事業は境界現社長がDS部門を引き受け推進力を得ている状況」と耳打ちした。