삼성전자 "TSMC 보다 빠르다" 신기술 집약 3나노 업계 최초 양산 나선다

삼성전자가 대만 TSMC에 앞서 내년 상반기 중으로 3나노 반도체를 양산한다고 공식 선언했다. 삼성전자는 3나노 반도체 양산에 초미세공정의 '게임 체인저'로 불리는 신기술 '게이트올어라운드(GAA)'를 업계 최초로 적용한다. 업계에서는 삼성전자가 파운드리 미세공정 시장 주도권을 장악하기 위해 3나노 반도체 조기 양산 승부수를 띄웠다는 평가가 나온다.

내년 상반기 GAA 기술을 3나노 양산에 도입하고 2023년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산에 나선다는 게 로드맵의 주요 내용이다.

삼성전자는 나노시트 구조를 활용한 GAA 기술을 3나노 공정에 적용할 예정이다. 이 경우 핀펫 기반 5나노 공정보다 성능은 30% 향상되고 전력 소모는 50%, 칩 면적은 35% 줄어든다고 삼성전자 측은 설명했다.

2025년부터 적용될 2나노 공정에서는 3세대 GAA 구조가 도입될 계획이다.

삼성전자가 2나노 공정 양산 계획을 공개한 것은 이번이 처음이다. 삼성전자 관계자는 "TSMC는 2나노 공정부터 GAA를 적용할 예정"이라며 "경쟁사 대비 2세대 앞선 성숙한 GAA 구조를 바탕으로 차세대 트랜지스터 시장을 선도하겠다"고 말했다.

시스템LSI는 스마트폰의 두뇌라 할 모바일 애플리케이션프로세서(AP) 엑시노스 시리즈의 차세대 제품을 3나노 공정으로 양산할 예정이다.

세계 4대 팹리스 중 한 곳인 미국 AMD도 삼성전자 3나노 파운드리 고객사로 유력하게 거론되고 있는 것으로 알려졌다. 여러 관계자 말을 종합하면 AMD는 현재 내년 말이나 2023년 초부터 차기 GPU 일부를 삼성전자 3나노 공정으로 양산하기 위한 계약 협상을 벌이고 있다. 계약이 확정되면 AMD가 삼성전자와 파운드리에서 협업하는 첫 사례가 된다.