화웨이 제품에서 키옥시아, 마이크론 메모리도 발견됨

ファーウェイが2020年の米国制裁以後、最近数年間発売した携帯電話とタブレットに多数の海外メモリー企業製品が搭載されたことが確認されたという外信報道が出た

台湾のデジタイムズはこの日、ファーウェイが最近数年間発売したスマートフォン、タブレット製品にグローバル主要メモリー企業であるサムスン電子、SKハイニックス、日本のキオスクシアだけでなく、米国企業であるマイクロンの製品も搭載されたと報道した

中国メモリー会社の揚子メモリーテクノロジー（YMTC）と長信メモリーテクノロジー（CXMT）製品は使用されなかったと、同メディアは伝えた

2020年に発表された米国の輸出統制規定を遵守するため、グローバル主要メモリーメーカーはファーウェイとの取引を中断した状態だ。

業界関係者は「ファーウェイが3年近く米国の制裁を受け、必要なメモリーを確保するために戦略的に多様な経路を通じて各業者のメモリーを調達してきたものと見られる」と明らかにした

前世代モバイル製品である「メイト40プロ」と「メイト50プロ」はもちろん、タブレット製品である「メイトパッド11」と「メイトパッドプロ11」などでもサムスン電子、SKハイニックス、マイクロン、キオスクシアの製品が確認された

そのうち、メイト40プロは三星電子のLPDDR5、メイト50プロはSKハイニックスのLPDDR5を採用し、ロム（ROM）ではキオスクシアのUFS3.1を搭載し、メイトパッド11のDラムはマイクロン、メイトパッドプロ11は三星電子の製品をそれぞれ採用したと、デジタイムズは伝えた。

最近発表されたファーウェイの新規スマートフォンメイト60プロ分解報告書によると、DRAMとNANDはいずれもSKハイニックス製品が搭載された。

ただしこれは数年前に発売された旧型製品で、SKハイニックスは「ファーウェイに対する米国の制裁措置が導入された以後、ファーウェイとこれ以上取引していない」と明らかにした。

業界関係者は「メモリー業者等が製品納品時に顧客に制裁に違反しないよう要請するが、全体サプライチェーンの部品の流れを統制することは難しく、他の国を通じて再販売されたり色々な業者を経て出荷されることができる「米国がこれを厳格に禁止しないのはメモリーに対する警戒心や敏感度が中国が自主開発するロジック半導体に比べて劣るため」と指摘した

ウリが朝鮮製品に使うと言って、宗主国様に売ったニダ。

馬鹿で情弱な韓国人に教授してあげる(笑)メモリーは米国は全く気にしていない。高性能システム半導体の開発に神経を尖らせている。何故なら巡航ミサイル等の兵器に転用出来るから。今メモリーを気にしているのは韓国だけ。あッ、ロシアも気にしてた(笑)

>>1
今更かよw
アメリカをはじめとする自由民主主義陣営は、ファーウェイ向けにしろ、ロシア向けにしろ、制限されているの半導体の供給ルートになっている“抜け道”は韓国だと既に随分前から判断してるよ。

「日本もー！」


はい　残念でしたっとｗｗｗ

韓国人は、なぜ出典を出さないのか？？？

이제 일본의 변명을 들어볼 시간입니다
ㅋㅋ

>>8
言い訳などしないぞ。

聞かれてもいない。

>>8
“流出経路はいつも韓国”で終了。

>>8
何の話だ？

>>8

ロットナンバーでどこ経由とか全部わかるんだよ。

また韓国経由で中国に流出かｗ

>>8
いい加減に韓国は、違法な横流しをやめろよ
シリアル調べりゃ、一時販売先はすぐにわかるぞ

또 일본인가?

>>15
おまえらホワイト国外しされた世界初の国だぞ。

>>15
そもそも、君は文書読めるの？

>>20
また文章を読めない朝鮮人が現れた（笑）

>>22
理解できないだけだろ
三行以上の文章が読めない白痴ばかりでは
しょうがない。

中国における半導体工場の生産増加5%制限」の意味

発表した米国商務省のチップス法ガードレール最終案の内容が

米国でチップス法により補助金を受ける企業は今後10年間、中国内の半導体FABでウェハー生産能力の拡大が5%以下に制限される

イム。 ところが、メモリー半導体企業には何の意味もない制限事項である。 なぜならメモリー半導体で微細工程転換による生産量増加はウェハー生産量ではなくウェハー当たり生産性に依存するためだ。

例えば、DRAMから微細工程を切り替えると線幅が微細化されるのでトランジスタ密度が高くなり、これによりウェハー1枚当たりの保存容量(Bit)が増加する。 ところが工程を転換すれば工程難易度が上がり工程数も増加し、また工程当り時間も増加する。 これをTAT(Turn Around Time)が増加すると表現する。 NANDも同じ。

例えば、10年前のDRAM主力ノードが2ynmだったが、その時は工程数が大体4~500個程度だった。 しかし、今の主力ノードである1anmはほぼ700個程度。 工程当たりの時間もはるかに長い。 それでウェハー1枚当たりTATが以前よりずっと海苔。

これは、あるFABで生産できるウェハー数が微細工程を転換しながら持続的に減少するという意味だ。 ウェハー1枚を生産するのに時間がはるかに長くなったから。 10年前に2ynmDラムを生産していたFABで1anmDラムを生産するためには、ほとんどウェハー生産量が半分以下に減るだろう。 しかし、ウェハー生産量は減ってもウェハー1枚当たりの容量生産性はそれ以上増加するため、容量基準全体生産量(ビットグロス:Bit Growth)は増加し続ける。

そのため、もし三星が10年後に試案FABのウェハー生産量を5%増やすためには、TATを考慮すると、今よりFABをほぼ2倍以上拡張しなければならないだろう。 ところが米中覇権戦争の状況でサムスンが中国に投資を増やすことはないので、最初から意味のない条項だと見れば良い。

某社（しめしめ、競合他社製品を横流ししてやったニダ）