삼성, 내주 세계 최초 GAA 기반 3나노 반도체 양산 발표

삼성전자가 세계 최초로 3나노 파운드리(반도체 위탁생산) 양산을 발표한다.

22일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 다음주 중 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 공정의 양산을 공식 발표할 계획이다. 그동안 2022년 상반기 중 GAA 공정을 적용해 3나노 칩을 양산할 것으로 공언한 약속을 지킨 것이다. 양산 발표는 지난달 윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령이 삼성전자 평택캠퍼스를 찾아 GAA 기반 3나노 웨이퍼 시제품에 서명한 후 약 한 달 만이다.

업계 1위 대만 TSMC는 하반기 3나노 칩을 양산할 예정으로 삼성전자가 추격의 발판을 마련했다는 분석이 나온다. 삼성전자는 3나노 칩을 납품할 고객사도 일부 확보한 것으로 알려졌다.

삼성전자 관계자는 "다음주 GAA 기반 3나노 파운드리 양산을 공식 발표할 것"이라며 "이는 어려운 사업 환경에서도 구성원 모두가 이뤄낸 자랑스러운 쾌거이며 새로운 도약에 큰 힘이 될 것"이라고 밝혔다.

GAA는 트랜지스터의 게이트와 채널이 닿는 면을 4개로 늘린 신기술로 기존 핀펫(FinFET) 구조보다 1개 면을 늘려 전력효율을 높이는 방식이다. 3나노 공정으로 제작된 반도체는 5나노 대비 칩 면적은 35% 줄이면서 성능과 배터리 효율은 각각 15%와 30% 더 올라가는 것으로 알려졌다. TSMC는 3나노까지는 기존 핀펫 방식을 쓰고, 2026년께 2나노부터 GAA를 적용할 예정이다.


업계 관계자는 "5나노 이하에서는 양사 모두 낮은 수율을 끌어올리기 위해 총력을 다하고 있다"며 "삼성이 TSMC보다 GAA 신공정을 3~4년 빨리 양산에 도입한 만큼 이 시간 동안 얼마나 시장 지배력을 강화하느냐가 관건"이라고 설명했다.


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