世界初の「３ナノ」半導体…サムスン、ファウンドリー市場ひっくり返すか

尹錫悦（ユン・ソクヨル）大統領とバイデン米大統領は２０日、サムスン電子の平沢（ピョンテク）キャンパスを訪れ「半導体同盟」への意志を明らかにした。両首脳はこの日芳名録の代わりにゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）基盤の３ナノ半導体ウエハーに署名した。

２２日の業界によると、サムスン電子が今回３ナノメートル（１ナノメートル＝１０億分の１メートル）プロセスが適用された最先端半導体ウエハーを世界で初めて公開し世界のファウンドリー（半導体委託生産）市場が揺れ動くかもしれないとの見通しが出ている。市場ではファウンドリー分野世界１位の台湾ＴＳＭＣに対抗するサムスンの「秘密兵器」という解釈が出ている。サムスンはＧＡＡ基盤の３ナノ第１世代半導体を５～６月中に量産する計画だと明らかにした。

ＴＳＭＣは「圧倒的な投資」計画を出した状態だ。実際に今年だけで４００億～４４０億ドル規模の設備投資計画を明らかにしているが、これは昨年の３００億ドルより最大４７％多い過去最大規模だ。業界ではＴＳＭＣが３ナノより先を行く１．４ナノ工程の開発に急いで着手するだろうという見通しも出ている。

「半導体の皇帝」インテルもやはりファウンドリー市場に再進出し積極的投資を継続している。インテルのパット・ゲルシンガー最高経営責任者（ＣＥＯ）は「来年まで３ナノ水準である『インテル３』を導入し、２０２５年からは２ナノ工程の量産を始める」という計画を明らかにしている。

https://s.japanese.joins.com/Jarticle/291319