삼성, 2022년에 3nm GAE 노드 배치

삼성이 중국에서 개최한 파운드리 포럼 2021을 통해 앞으로의 공정 로드맵을 공개했습니다.

삼성은 GAA(Gate-All-Around) 혹은 MBCFET(멀티 브릿지 채널 전계 효과 트랜지스터)를 사용하는 3nm 공정의 계획을 변경했습니다. 3nm의 첫 버전인 3GAE(3nm 게이트 올 어라운드 초기 버전)이 2022년에 양산됩니다. 그 후속인 3GAP(3nm GAA 플러스)는 2023년에 양산이 목표입니다.

대신 FinFET 기반 5LPP, 4LPP가 새로 추가됐습니다. 각각 올해와 내년에 대량 양산됩니다. 4LPP까지는 FinFET 기반이라 고객들이 도입하기 쉽습니다.