삼성전자, 업계 최대·최고·고효율 DDR5 RAM 개발에

삼성전자가 신기술을 적용한 업계 최대 용량의 차세대 D램(DDR5)으로 또 한번 세계 최초의 '초격차'를 보여줬다. 이번에 개발한 신제품은 1초에 UHD(초고화질) 영화 2편을 처리할 수 있는 업계 최고 수준의 속도를 자랑하면서 동시에 전력소모는 기존보다 13% 줄인 것이 특징이다.

DDR5는 3년 내에 시장의 과반을 차지할 것으로 예상되고 있다. 여기에 인텔과의 긴밀한 협력으로 본격적인 DDR5 시대를 앞당길 것으로 기대된다.

삼성전자는 업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트(HKMG)' 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB, 업계 최고 속도의 7200Mbps 성능의 DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다.

이번에 개발한 D램 모듈은 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현한 것이 특징이다. 데이터를 저장하는 문(게이트)가 빠르게 열리고 닫히는 등의 기술로 누설전류를 최소화 하는 기술이다.

삼성전자 측은 "HKMG 공정은 주로 시스템 반도체에서 많이 사용됐는데, 삼성전자는 메모리와 시스템 반도체 공정 능력을 모두 갖추고 있어 선제적으로 적용할 수 있었다"고 설명했다.삼성전자는 또 이번 제품에 범용 D램 제품 가운데 처음으로 8단 TSV(실리콘 관통 전극) 기술을 적용했다. TSV 기술은 상단 칩과 하단 칩에 수백개의 구멍을 뚫어 수직으로 관통하는 전극을 연결하는 첨단 패키징 기술로, 제한된 공간에서 고용량을 구현할 수 있다.

손영수 삼성전자 메모리 사업부 기획팀 상무는 "뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다"고 말했다.

삼성전자는 HKMG 공정과 8단 TSV 기술이 적용된 고용량 DDR5 메모리를 적기에 상용화할 계획이다.

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